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科山芯创

cosine nanoelectronics

600V High and Low Side Gate Driver 驱动芯片
    发布时间: 2019-05-31 17:09    

产品特点:

+600V自举浮动通道

可承受负瞬态电压

栅极驱动电源范围为 10 至 20V

两个通道的欠压锁定

独立的逻辑电源范围为 3.3V 至 20V

逻辑和电源地 土5V 偏移

逐周期边沿触发关断逻辑

Part No.

COs2110

Cos2113

Cos2181

匹配的传播延迟输出与输入同相

应用领域:逆变器储能,充电桩,电源管理

600V High and Low Side Gate Driver 驱动芯片


产品特点:

+600V自举浮动通道

可承受负瞬态电压

栅极驱动电源范围为 10 至 20V

两个通道的欠压锁定

独立的逻辑电源范围为 3.3V 至 20V

逻辑和电源地 土5V 偏移

逐周期边沿触发关断逻辑

匹配的传播延迟

输出与输入同相


应用领域:逆变器储能,充电桩,电源管理
  

Part No.

Channel

Voffset

Max

 (V)

IO+/-

(A)

Ton/

Toff

(ns)

Delay 

Match

(ns)

Gate Drive

Supply Range

 (V)

Logic

Supply

Range

 (V)

Package

资料下载

COS2110

High side/

Low side

600

2.5/2.5

128/124

10

10~20

3.3~20

SOP16

DIP14


COS2113

High side/

Low side

600

2.5/2.5

128/124

10

10~20

3.3~20

SOP16

DIP14

COS2181

High side/

Low side

600

2.5/2.5

128/124

10

10~20

3.3~20

SOP8

DIP8